SiC-Schottky-Dioden

STROMVERSORGUNG ANALOGTECHNIK DISTRIBUTION

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden der Serie 650VG1 von Taiwan Semiconductor sind bei Schukat erhältlich. Sie eignen sich für AC/DC-, DC/DC- und DC/AC-Wandlungsanwendungen.



Die SiC-Schottky-Dioden haben durch geringe Schaltverluste eine niedrigere kapazitative Ladung (QC) im Gegensatz zu den auf Silizium basierenden Fast-Recovery-Gleichrichtern. Dadurch eigenen sie sich für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen.


Zu den Hauptmerkmalen ...

der TSC Serie 650VG1 zählen eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C sowie die MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Durchlass-Stromstößen. Der positive VF-Temperaturkoeffizient (25°C bei max. 1,45V) sorgt für Stabilität in verschiedenen Temperaturbereichen. Zu den von den Dioden unterstützten Schaltungsfunktionen gehören u.a. die PFC-Boost-Diode, freilaufende Diode und Vollwellenbrücke.

Die Bauteile sind RoHS-konform und halogenfrei. Anwendungsbereiche umfassen AC/-DC-Netzteile, DC/DC-Wandler und Solar-Wechselrichter, Server-Netzteile in Rechenzentren, Telekommunikationsgeräte und USV-Systeme.