Die neuen N-Channel SiC-Power-MOSFETs der vierten Generation unterstützen 15V Gate-Source-Spannung und sind für den Einsatz in Elektrofahrzeugen, Industrieantrieben oder der Luft- und Raumfahrt ausgelegt.

Die MOSFETs sind zusammen mit den dazugehörenden Modulen und Treibern sowie Half-Bridge Evaluation Boards erhältlich. Die Half-Bridge Evaluation Boards P04SCT4018KE-EVK-001 und P05SCT4018KR-EVK-001 wurden für SiC-MOSFETs der Gen. 4 in TO-247N und TO-247-4L-Gehäusen entwickelt und unterstützen die Entwicklung. Integrierte Gate-Treiber und Peripherieschaltungen reduzieren den Arbeitsaufwand für die Evaluierung.

• Das HB2637L-EVK-301-Board ermöglicht Evaluierungen in Betriebsarten wie Auf-/Abwärtswandler, synchrone Auf-/Abwärtswandler und Inverterbetrieb. Es integriert zwei SiC-MOSFETs, einen isolierten Gate-Treiber inklusive Netzteil, einen Low-Dropout-Regler (LDO) für eine 5 V-Versorgung sowie Anschlüsse für Pulsweitenmodulation-Signale (PWM).
• Der BM61M41RFV-C-Gate-Treiber verfügt über eine Isolationsspannung von 3.750 Vrms, eine E/A-Verzögerungszeit von 65ns und eine minimale Eingangsimpulsbreite von 60ns. Er ist galvanisch isoliert und mit Under-Voltage-Lockout (UVLO)-, sowie der Miller-Clamping-Funktion ausgestattet. Das Bauteil ist AEC-Q100-qualifiziert und UL1577 anerkannt.

Im Gegensatz zu den SiC-MOSFETs der dritten Generation…

unterstützt die vierte Generation einen flexibleren Gate-Spannungsbereich von 15V bis 18V. Das ermöglicht die Entwicklung einer Gate-Treiberschaltung, die auch bei hohen Strömen für Insulated-Gate Bipolar Transistoren (IGBT) eingesetzt werden kann. Die Bauteile halten einer thermischen Belastung bis +175°C stand und lassen sich parallelschalten und ansteuern. Sie sind bleifrei und RoHS-konform.