Die Generation 4 der Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie „STPOWER“ vor wurde für Traktionswechselrichter optimiert, die ein zentraler Bestandteil des Antriebsstrangs von Elektrofahrzeugen (EVs) sind.

Die SiC-MOSFETs, die es mit 750V und 1.000V Nennspannung geben wird, sollen die Energieeffizienz und Leistungsfähigkeit von 400-V- und 800-V-Traktionswechselrichtern für EVs verbessern und die SiC-typischen Vorteile auch für Mittelklasse- und Kompakt-EVs erschließen. Geeignet ist die SiC-Technologie auch für industrielle Anwendungen wie PV-Wechselrichter, Energiespeicher-Lösungen und Rechenzentren.

Verfügbarkeit

ST hat die Qualifikation der 750-V-Klasse der vierten SiC-Technologiegeneration abgeschlossen. Der Abschluss der Qualifikation der 1.200-V-Klasse wird für das erste Quartal 2025 erwartet. Anschließend folgt die kommerzielle Verfügbarkeit von Bauelementen mit Nennspannungen von 750V und 1.200V, sodass Lösungen für Anwendungen entwickelt werden können, die von herkömmlichen, mit normaler Netzspannung gespeisten Systemen bis zu Hochspannungs-EV-Batterien und -Ladegeräten reichen.

Die fünfte Generation der SiC-Leistungsbausteine von ST soll durch eine Technologie auf Basis einer planaren Struktur geprägt sein. Gleichzeitig arbeitet ST an einer weiteren Reduzierung der RDS(on)-Werte.