SiC-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

STROMVERSORGUNG

Die SiC-MOSFETs der SCT40xxDLL-Serie von Rohm befinden sich in TOLL-Gehäusen (TO-Leadless). Im Vergleich zu TO-263-7L-Gehäusen mit gleicher Nennspannung und gleichem Einschaltwiderstand bieten sie laut Hersteller eine um ca. 39 % verbesserte Wärmeleistung.



Die SiC-MOSFETs eignen sich für Industrieanlagen wie Server-Netzteile und Energiespeichersysteme.


Warum braucht man das?

In Anwendungen wie KI-Servern und kompakten PV-Wechselrichtern braucht man höhere Nennleistungen bei gleichzeitiger Miniaturisierung. Daher müssen Leistungs-MOSFETs eine höhere Leistungsdichte erreichen. Insbesondere in Totem-Pole-PFC-Schaltungen für schlanke Netzteile („Pizzaschachtel-Typ“)  bezeichnet werden, gelten strenge Anforderungen. So darf die Dicke diskreter Halbleiter maximal 4mm betragen.

Die SiC-MOSFETs der SCT40xxDLL-Serie haben eine Bauhöhe von 2,3mm und unterstützen bis 750V. Das Produktspektrum umfasst sechs Modelle mit Einschaltwiderständen zwischen 13 mΩ und 65 mΩ.


Anwendungsbeispiele

  • Industrieanlagen: Stromversorgungen für KI-Server und Rechenzentren, PV-Wechselrichter, Energiespeichersysteme
  • Verbrauchergeräte: Allgemeine Stromversorgungen


Die Serienproduktion dieser Modelle hat im September 2025 begonnen. Simulationsmodelle sind auf der Website von Rohm verfügbar.