Die SCT3xxx xR-Serie besteht aus sechs Modellen, die eine Nennspannung von entweder 650 V oder 1200 V aufweisen. Die drei 650-V-Version bieten bei 25°C RDS(on)-Widerstände von 30, 60 oder 80 m?, Nennströme von 70, 39 oder 30A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134W. Die 1200-V-Varianten verfügen über RDS(on)-Widerstände von 40, 80, oder 105mΩ, Nennströme von 55, 31 oder 24A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134 W. Die Bauelemente arbeiten im Temperaturbereich von -55°C bis +175 °C.
Rohm bietet auch Lösungen, die die Evaluierung von SiC-MOSFETs erleichtern sollen. Dazu gehört ein Evaluierungsboard (P02SCT3040KR-EVK-001), das mit BM6101FV-C-Gate-Treiber-ICs sowie mehreren Stromversorgungs-ICs und diskreten Bauelementen ausgestattet und für die Ansteuerung von SiC-Bauelementen optimiert ist. Die Platine kann für Doppelpulstests und auch als Hochsetzsteller, zweistufige Wechselrichter sowie für synchrone Gleichrichter-Tiefsetzsteller verwendet werden.
