09.10.2019

SiC-MOSFETs im 4-Pin TO-247-Gehäuse

Rohm bietet mit der SCT3xxx xR-Serie sechs SiC-MOSFETs (650V/1200V) mit Trench-Gate-Struktur. Die Bauelemente verfügen über ein TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen, das laut Hersteller die Schaltleistung maximiert und die Schaltverluste gegenüber herkömmlichen Gehäusetypen mit drei Anschlüssen (TO-247N) um bis zu 35 Prozent reduziert.


Konfiguration des Evaluierungsboards. Bilder: Rohm

Die SCT3xxx xR-Serie besteht aus sechs Modellen, die eine Nennspannung von entweder 650 V oder 1200 V aufweisen. Die drei 650-V-Version bieten bei 25°C RDS(on)-Widerstände von 30, 60 oder 80 m?, Nennströme von 70, 39 oder 30A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134W. Die 1200-V-Varianten verfügen über RDS(on)-Widerstände von 40, 80, oder 105m?, Nennströme von 55, 31 oder 24A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134 W. Die Bauelemente arbeiten im Temperaturbereich von -55°C bis +175 °C.

 

Rohm bietet auch Lösungen, die die Evaluierung von SiC-MOSFETs erleichtern sollen. Dazu gehört ein Evaluierungsboard (P02SCT3040KR-EVK-001), das mit BM6101FV-C-Gate-Treiber-ICs sowie mehreren Stromversorgungs-ICs und diskreten Bauelementen ausgestattet und für die Ansteuerung von SiC-Bauelementen optimiert ist. Die Platine kann für Doppelpulstests und auch als Hochsetzsteller, zweistufige Wechselrichter sowie für synchrone Gleichrichter-Tiefsetzsteller verwendet werden.


 


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