Es sind SiC-MOSFETS mit 650 und 1.200 VDSS erhältlich. Sie befinden sich im Gehäuse TO-247-4L(X), das 4 Pins bietet. Es sind Versionen mit unterschiedlichen ID- und RDS(on)-Werten zu haben.
Weshalb ein 4. Pin?
Bei 3-Pin Gehäusen müssen sich Ansteuerung und Power einen Pin teilen. Es gibt also immer eine Doppelbelegung, was diverse Nachteile bedingt. Der vierte Pin ist ein eigenständiger Kelvin-Source-Anschluss für das Ansteuersignal. Dadurch wird die Auswirkung der parasitären Induktivität des Leistungskreises auf die Ansteuerung eliminiert und das Schaltverhalten verbessert.
Technische Details
Im direkten Vergleich des TW045Z120C (4-Pin) mit dem TW045N120C (3-Pin) zeigt sich laut GLYN eine um 40 % gesteigerte Effizienz im Einschaltvorgang. Beim Ausschalten wird sie um 34 % gesteigert.
- Bei den Bauteilen der 3. Generation wird eine Schottky-Barrier-Diode (SBD) parallel zu der parasitären PN-Diode angeordnet.
- Die Durchlassspannung beträgt 1,35V typisch.
- Die Shottky-Barrier-Dioden sind auf den vollen Nennstrom der SiC MOSFETs spezifiziert. Das ist z.B. bei Totem-Pole-PFC-Schaltungen wichtig.
- Durch die Integration der Schottky-Barrier-Diode auf dem Chip entfallen Bonding-Drähte.
- Durch die neue Chipstruktur konnte der Figure-of-Merit (FOM), also der Wert Ron x Qgd, im Vergleich zu der 2. Generation um 80 % reduziert werden.
- Die Bauteile weisen im Bereich der Ansteuerung einen Gate-Source-Spannungsbereich von -10V bis 25V auf. Das bietet eine Reserve bei einem SiC-MOSFET üblichen Betrieb mit zirka 18V.
