Die Bausteine sind die ersten SiC-Produkte von Toshiba, die in einem TO-247-4L(X)-Gehäuse mit einem vierten Pin ausgeliefert werden. Dies ermöglicht eine Kelvin-Verbindung des Signal-Source-Anschlusses für die Gate-Ansteuerung. Das soll die parasitäre Induktivität des internen Source-Anschlusses verringern und die Schaltleistung bei hohen Geschwindigkeiten verbessern.
Ein Vergleich des TW045Z120C mit dem bestehenden TW045N120C (3-Pin TO-247) von Toshiba zeigt laut Unternehmensangaben ca. 40% geringere Einschaltverluste und 34% geringere Ausschaltverluste.
Die Serie TWxxxZxxxC umfasst fünf Bausteine mit einer Drain-Source-Nennspannung (UDSS) von 650V und fünf Bausteine mit 1200V für Anwendungen mit höheren Spannungen. Der Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(ON)) liegt zwischen 140 und 15 mΩ. Die MOSFETs sind in der Lage, kontinuierliche Drain-Ströme (ID) von bis zu 100A bereitzustellen.
