Die SiC-MOSFET-Relais für Hochspannungs-Leistungs- und Testanwendungen sind mit 1.800V und 3.300V erhältlich.
Technische Details
- Die Relais enthalten Back-to-Back-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) mit einem
- optisch isolierten Gate-Treiber
- 6-poliges Dual-Inline-Gehäuse (DIP-6); wahlweise in Gehäuseausführungen für die Oberflächen- oder die Durchsteckmontage
- Einschaltzeit von 1ms oder 2ms, sie innerhalb von 0,2ms ausschalten.
- Typ 1a (SPST, normalerweise offen)
Zwei Baureihen
- Modell G3VH-331 ist ausgelegt für 3300V, einen Dauerlaststrom von 300mA und einen Einschaltstrom (Iop) von 900mA. Es weist einen Gesamtwiderstand zwischen den Anschlüssen von 3,5 Ohm auf.
- Das 1800V-Modell G3VH-181 kann bei einem Widerstand von 120 Ohm bis zu 30mA Dauerstrom und 80mA Impulsstrom verarbeiten.
Wo braucht man das?
Typischerweise kommen sie in industriellen Antrieben und in der Automatisierungstechnik, in Solar- und Windkraftanlagen, in Energiespeichersystemen (ESS) sowie in automatisierten Testanlagen (ATE) für Hochspannungs-Leistungshalbleiter mit großer Bandlücke zum Einsatz.
