SiC-MOSFET-Module für das Laden von Elektrofahrzeugen

STROMVERSORGUNG AUTOMOTIVE

ON Semiconductor stellt zwei 1200V-Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFET-2-PACK-Module vor. Die Module, die auf Planar-Technologie basieren und für eine Ansteuerspannung im Bereich von 18 bis 20V geeignet sind, lassen sich mit negativen Gate-Spannungen ansteuern. Der größere Chip verringert den Wärmewiderstand im Vergleich zu Trench-MOSFETs, was die Chip-Temperatur bei gleicher Betriebstemperatur verringert.



Der als 2-PACK-Halbbrücke konfigurierte NXH010P120MNF ist ein 10mΩ-Baustein im F1-Gehäuse. Der NXH006P120MNF2 ist ein 6mΩ-Baustein im F2-Gehäuse. Die Gehäuse verfügen über Einpressstifte. Ein integrierter Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten (NTC) soll die Temperaturüberwachung erleichtern.

Die SiC-MOSFET-Module sind für den Einsatz mit Treibern der Serie NCD5700x entwickelt. Der isolierte 2-Kanal-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber NCD57252 bietet eine galvanische Trennung von 5kV und lässt sich für einen Dual-Low-Side-, Dual-High-Side- oder Halbbrückenbetrieb konfigurieren.

Der NCD57252 wird im SOIC-16-Gehäuse ausgeliefert und akzeptiert Logikpegel-Eingänge (3,3; 5 und 15V). Der für hohe Ströme taugliche Baustein (Quelle 4A /Senke 6A bei Miller-Plateau-Spannung) eignet sich für den Highspeed-Betrieb, da die typische Laufzeitverzögerung 60ns beträgt.

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