SiC-MOSFET-Modul für Ströme bis 800A

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©Toshiba Electronics Europe

Toshiba Electronics Europe bringt das SiC-MOSFET-Modul MG800FXF2YMS3. Es enthält 2-Kanal-Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs mit einer Nennspannung von 3300V, die Ströme bis 800A unterstützen. Zu den Hauptanwendungen dieser Module  zählen industrielle Antriebe und Motorsteuerungen, Wechselrichter im Bereich erneuerbarer Energien sowie Umrichter für die elektrische Bahninfrastruktur.

Um einen hohen Wirkungsgrad zu erzielen, werden in diesen Modulen laut Toshiba iXPLV-Gehäuse (Intelligent Flexible Package Low Voltage) verwendet, die auf einem silbergesinterten internen Bonding basieren. Kanaltemperaturen bis zu 175°C werden unterstützt, während eine Isolation bis 6000Veff sichergestellt ist. Die Ein- und Ausschaltverluste werden auf 250 bzw. 240mJ gehalten, wobei Streuinduktivitätswerte von 12nH zu erwarten sind.

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