Schottky-Dioden mit Nennströmen von 4A bis 40A

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Vishay 650 V Si C Schottky Dioden
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Vishay präsentiert zehn 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden. Die auf einem MPS- (merged PIN Schottky) Design basierenden Schottky-Dioden wurden laut Hersteller mit dem Ziel entwickelt, die Schaltverluste zu verringern und dadurch die Energieeffizienz von Hochfrequenzanwendungen zu verbessern. Das MPS-Design der Dioden bewirkt eine Abschirmung des elektrischen Feldes gegenüber der Schottky-Barriere - es verringert Leckströme und erhöht durch Löcherinjektion die Spitzenstrombelastbarkeit. 

Diese Schottky-Dioden eröffnen laut Vishay Entwicklern Möglichkeiten einer Systemoptimierung in Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen (PFC), Schaltnetzteilen mit hoher Leistung und hoher Taktfrequenz und LLC-Wandlern für Server, Telekomausrüstung, UPS- und Solar-Wechselrichter. Verfügbar sind die Schottky-Dioden mit Nennströmen von 4A bis 40A in den Gehäusebauformen 2L TO-220AC und TO-247AD 3L; sie sind für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegt.

Vishay Schottky Dioden
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