Die Schottky-Barrier-Diode (SBD) nutzt die niedrigen VF-Eigenschaften von Gleichrichter-SBDs zu Schutzzwecken. Durch den Einsatz einer proprietären Architektur konnte ein niedriger IR erreicht werden. Mit einem VF von weniger als 300mV (bei IF = 7,5mA, auch bei Ta = -40°C) und einem IR von weniger als 20mA (bei VR = 3V, auch bei Ta = 125°C) erfüllt das Bauelement auch unter rauen Umgebungsbedingungen die Anforderungen. Diese Eigenschaften verhindern Schäden an der Schaltung durch hohe Photovoltaik-Spannungen, die beim Ausschalten entstehen können und verringern das Risiko von thermischem Durchgehen und Fehlfunktionen während des Betriebs.
 

Warum ist das wichtig?

ADAS-Kameras und ähnliche Systeme erfordern eine höhere Pixelanzahl, um den Anforderungen an eine höhere Präzision gerecht zu werden. Dadurch ergibt sich jedoch ein zunehmendes Problem: das Risiko von Schäden durch Photovoltaik-Spannungen, die bei Lichteinwirkung im ausgeschalteten Zustand entstehen können.

SBDs mit niedrigem VF stellen eine wirksame Gegenmaßnahme dar. Während des Betriebs ist jedoch auch ein niedriger IR unerlässlich, um thermisches Durchgehen zu verhindern. Die gleichzeitige Realisierung niedriger VF- und IR-Werte stellte bislang eine technische Herausforderung dar. Rohm hat das durch eine neue Bauelementestruktur überwunden und eine SBD entwickelt, die einen niedrigen VF-Wert mit einem niedrigen IR-Wert kombiniert und sich somit für Schutzanwendungen eignet.


Technische Details

Die Diode ist in einem SOD-323HE-Gehäuse (2,5mm × 1,4mm) mit flachen Anschlüssen untergebracht. Sie eignet sich für Automobilkameras, Industrieanlagen und Sicherheitssysteme. Die Diode ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert und somit als Schutzvorrichtung für die Automobilelektronik geeignet.