Rohm und chinesische Leadrive eröffnen gemeinsames Forschungslabor

FORSCHUNG & ENTWICKLUNG

Rohm Und Chinesische Leadrive Eröffnen Gemeinsames Forschungslabor
©Rohm
Dr. Jie Shen, Chairman und General Manager von LEADRIVE (rechts), und Shinya Kubota, der (damalige) Geschäftsführer von ROHM Semiconductor (Shanghai) Co. (links), eröffnen das gemeinsame Forschungslabor für SiC-Technologie

Rohm und Leadrive Technology, ein chinesischer Hersteller von Antriebssträngen für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb, eröffnen ein gemeinsames Forschungslabor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) in der Shanghaier Freihandelszone (Lingang New Area).

SiC-Leistungsbauelemente werden in On-Board-Ladegeräten und DC/DC-Wandlern für Kraftfahrzeuge eingesetzt. Diese Komponenten bieten im Vergleich zu Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis wie IGBTs wesentliche Vorteile. Dazu gehören geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine höhere Temperaturfestigkeit.

Rohm und Leadrive arbeiten bereits seit 2017 zusammen. Das gemeinsame Forschungslabor fokussiert auf Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter unter Verwendung von Rohms SiC-MOSFET-Chips und isolierten Gate-Treibern.

Link(s)

Fachartikel