Rohm sponsert SiC-Technologie für die Formel E

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Rohm Semiconductor hat seine Siliziumkarbid-Technologie (SiC) beim ersten Rennen der neuen Formel-E-Saison 2016/2017 in Hongkong vorgestellt. Der japanische Halbleiterhersteller tritt als Sponsor und offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams auf.



Kern der Partnerschaft ist der Erfolgsfaktor der vollelektrischen Rennserie – das Energiemanagement. Die Herausforderung für Teams und Fahrer liegt zum einen im effizienten Einsatz der zur Verfügung stehenden Energie und zum anderen darin, die Batterieleistung bestmöglich auf die Rennstrecke zu bringen. Hier kommt die von Rohm entwickelte Halbleitertechnologie mit Siliziumkarbid zum Einsatz.


Im Vergleich zum herkömmlichen Silizium kann das neue Material höhere Lasten und Spannungen verarbeiten und verbraucht dabei deutlich weniger Energie – selbst unter sehr hohen Temperaturen. Durch den Einsatz von SiC als Kernelement der Partnerschaft erhoffen sich Venturi und Rohm deutliche Wettbewerbsvorteile.



SiC-Technologie auf einen Blick

Siliziumkarbid ist die chemische Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff – gefertigt in einem Prozess der Kristallzüchtung bei über 2000°C. Als Bauteil der Hochleistungselektronik erreichen SiC-Anwendungen Energieeinsparungen und effiziente Schaltvorgänge. Die Vorteile im Vergleich zu Materialien wie Silizium sind folgende:

  • Systeme werden verkleinert und verbrauchen weniger Energie. Die geringere Größe und das eingesparte Gewicht ermöglichen z.B. im Motorsport zusätzlich eine bessere Gewichtsverteilung.
  • Bauteile mit SiC können mit höheren Voltlasten und Spannungen arbeiten, haben eine höhere Leistungsdichte und zeichnen sich auch unter hohen Temperaturen durch deutlich reduzierte Schaltverluste aus.
  • Die SiC-Technologie von Rohm verhilft Venturi zu besserer Performance mehr Speed.



Der Inverter im Venturi-Boliden für die 3. Saison enthält SiC-Schottoky-Dioden und ist 2 Kilogramm leichter als das Einheitsmodell der Vorsaison. Die elektrische Effizienz konnte um 1,7% gesteigert werden. Zugleich konnte das Volumen des Kühlsystems um 30 % reduziert werden. Doch das ist erst der Anfang. Für die 4. Saison werden durch den Einbau von SiC-MOSFETs weitere Entwicklungsschritte und Verbesserungen erwartet.



Sponsoring und Technologiepartnerschaft

Für die Automobilindustrie und die Elektromobilität werden SiC-Anwendungen und leistungsfähige Inverter immer wichtiger. Rohm startete bereits 2010 mit der Produktion von SiC-MOSFETs und hält einen großen Marktanteil bei „On-Board“-Ladeeinheiten von Elektrofahrzeugen.


Rohm entwickelt auch LSI-Systeme mit AEC-Q-zertifizierten Automotive-Produkten sowie ASIC- und ASSP-Produkte. Hierzu zählen LED-Treiber, Motor-Treiber und optimierte Gate-Treiber für Motorsteuergeräte (ECUs). Dazu kommen standardisierte Bauteile wie Transistoren, Dioden und weitere ICs. Das Engagement ist ein großer Schritt für den Halbleiterhersteller aus Kyoto.


Der wichtigste Beitrag besteht aktuell in der Einführung der SiC-Technologie in die Formel E sowie in die E-Mobilität im Allgemeinen. Darüber hinaus ist das Engagement ein Beitrag zur Energiewende. Die Vorteile von Siliziumkarbid, die auch für verschiedene Industrien und gesellschaftlich relevant sind, werden durch das Projekt mit Venturi in der Formel E klar herausgestellt.


Die Formel E demonstriert nicht nur, wie effizient die neue Technologie funktioniert, sondern auch, dass SiC seinen Weg in die Serienproduktion und Alltagsanwendungen finden wird. Um die Formel E zu unterstützen, hat Rohm eine spezielle Webseite gestaltet. Sie soll Zugang zu Informationen und technischen Hintergründen liefern.

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