Rohm erweitert SiC-Produktionskapazität

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Rohm wird seine Produktionskapazität für SiC-Power-Bauteile in Japan erweitern. Im Apollo Werk im japanischen Chikugo ist ein neues Produktionsgebäude geplant. Durch ein dreistöckiges Gebäude wird die Produktionsfläche um ungefähr 11.000 m² vergrößert. Der Bau soll im Februar 2019 beginnen und Ende 2020 abgeschlossen sein.



Spannungswandler auf SiC-Basis haben weniger Verluste als Wandler auf Silizium-Basis. Zudem ermöglicht SiC gegenüber Silizium kleinere Module, Komponenten und Systeme. Laut Rohm erwarten Experten, dass der weltweite SiC-Markt bis 2021 die 1-Milliarde-Dollar-Marke überschreitet.


Den größten Anteil nehmen Anwendungen in der Energieversorgung ein, wie zum Beispiel Spannungsstabilisatoren, Ladestationen für elektrische Fahrzeuge und das Stromnetz. Doch auch die Hauptwechselrichter für elektrische Fahrzeuge stellen einen bedeutenden Teil des Marktpotentials für SiC-Bauteile dar.


2010 startete Rohm die Massenproduktion von SiC-Power-Bauteilen, wie SiC-Schottky-Dioden und -MOSFETs. Es wurden vollständige SiC-Power-Module und SiC-Trench-MOSFETs produziert. Das Unternehmen deckt den gesamten Herstellungsprozess von den SiC-Wafern über die Bauteile bis zum Packaging selbst ab.

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