Quarzoszillator mit niedrigem Phasenrauschen

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Der Quarzoszillator (OCXO) IQOV-200F von IQD gewährleistet eine Phasenrausch-Performance in Trägernähe von -130dBc @100Hz sowie ein Grundrauschen von niedriger als -180dBc über einen Frequenzbereich von 80 bis 130MHz. Der Baustein verwendet eine speziell auf niedriges Phasenrauschen optimierte Schaltung.

 

Es besteht ein komplexer Zusammenhang zwischen den Quarzparametern, der Oszillatorschaltung, der internen Spannungsstabilisierung und Filterung sowie der Ausgangsstufe, die alle zum Rauschen im System beitragen. Die Entwicklung einer Schaltung, welche diese Bestandteile isoliert und einen spezifischen Abgleich zur Optimierung jedes einzelnen Elements erlaubt, war ein Teil der Forschungs- und Entwicklungsarbeit von IQD für diese Produktfamilie.

 

Der IQOV-200F liefert eine Frequenzstabilität von ±50ppb über dem Standard-Betriebstemperaturbereich von -20 bis 70°C. Das in einem Eurostyle-Gehäuse mit 36mm x 27mm untergebrachte und mit 12V Versorgungsspannung gespeiste Modell bietet ein Sinus-Ausgangssignal von mindestens +13dBm. Es befindet sich bereits in Produktion. Bestellbar ist jede Frequenz zwischen 80 und 130MHz, optional kann auch ein Abstimmbereich spezifiziert werden. arüber hinaus gewährleistet der IQOV-200F einen Stromverbrauch von 150mA max. bei 25°C sowie 350mA max. während der Aufheizphase.

 

Das Produkt eignet sich für jede Applikation, bei der das Phasenrauschen der kritischste Parameter ist. Test- und Messsysteme sind auf hohe Signalreinheit angewiesen die sicherstellt, dass die internen Referenzen eine wesentlich bessere Performance haben als die zu messenden Signale.

 

Radaranwendungen sind ein weiterer Bereich, in dem ein niedriges Grundrauschen dazu beiträgt, dass schnell bewegende Objekte deutlich erkannt werden, und das niedrige Phasenrauschen in Trägernähe verbessert die Detektierbarkeit sich langsam bewegender Objekte.

 

Zu anderen Anwendungen, bei denen niedriges Phasenrauschen ein wichtiger Parameter ist, zählen dielektrische Resonator-Oszillatoren (DRO), bei denen die sehr hohe Frequenz und der große Ziehbereich mit einer Referenz mit sehr hoher spektraler Reinheit verbunden werden muss. Auch hier wird das OCXO-Referenzsignal bis in den GHz-Bereich hochmultipliziert.

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