05.11.2018

Pseudostatische RAM-Bausteine

Die CMOS-Pseudo-SRAMs (PSRAMs) von Alliance Memory kombinieren die Eigenschaften von SRAMs und DRAMs. Sie sind mit Dichten von 8Mb bis 128Mb ab sofort bei Rutronik erhältlich.


Bild: Rutronik

Dank DRAM-Kernen mit SRAM-Schnittstellen und On-Chip-Aktualisierungsschaltungen bieten die PSRAMs eine hohe Bandbreite sowie geringen Stromverbrauch. Damit k√∂nnen beispielsweise SRAMs in tragbaren elektronischen Ger√§ten wie Mobiltelefonen und PDAs ersetzen oder als Begleitchips f√ľr NOR-Flash-Anwendungen dienen.

 

Die Schnittstellen der Modelle AS1C1M16PL-70BIN, AS1C1M16P-70BIN, AS1C2M16P-70BIN, AS1C512K16PL-70BIN und AS1C512K16P-70BIN sind kompatibel mit asynchronen SRAMs. F√ľr eine gr√∂√üere Bandbreite besitzen die Versionen AS1C4M16PL-70BIN und AS1C8M16PL-70BIN CellularRAM PSRAMs √ľber einen gemultiplexten Adress-/Datenbus.

 

Alle Speichermodelle unterst√ľtzen asynchronen sowie Burst-Betrieb und verf√ľgen √ľber Lese- und Schreibburstl√§ngen von 4, 8, 16 oder 32 W√∂rtern oder kontinuierlichen Burst.

 

Die in industriellen Temperaturbereichen (-30¬įC bzw. -40¬įC bis +85¬įC) verf√ľgbaren PSRAMs bieten Zugriffsgeschwindigkeiten von 70ns und arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung von 1,7V bis 1,95V oder 2,6V bis 3,3V. Weitere Energiesparfunktionen sind die automatische temperaturkompensierte Selbstauffrischung (ATCSR), die partielle Selbstauffrischung von Arrays (PASR) und ein Deep Power Down (DPD) Modus. Das 48-Ball-FPBGA-Geh√§use hat Abmessungen von 6,0 mm x 7,0 mm x 1,0 mm, das 49-Ball-FPBGA-Geh√§use misst 4,0 mm x 4,0 mm x 1,0 mm.


 


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