Angesichts der Nachfrage nach „Wide-Bandgap“-Technologien können sich die Teilnehmer über neue Designs mit GaN- und SiC-Bauelementen, unter anderem mit intelligenten Ansteuerkonzepten über verbesserte elektrische, thermische und Zuverlässigkeitseigenschaften für SiC-Komponenten informieren, sowie über innovative Systemlösungen zur Steuerung schneller Schalter in leistungselektronischen Wandlern. Internationale Experten aus Industrie und Forschung stellen Lösungen auf Komponenten- und Systemebene vor und demonstrieren das Handling von hohen di/dt- und dv/dt-Schaltvorgängen im Gehäuse. Auf dem Programm stehen unter anderem folgende Vorträge:

• „Highly-Efficient MHz-Class Operation of Boost DC-DC Converters by Using GaN Transistors on GaN with Reduced RonQoss“, Shinji Ujita et al, Panasonic, Japan
• „A 3.3kV 1000A High Power Density SiC Power Module with Sintered Copper Die Attach Technology“, Kan Yasui et al, Hitachi Power Semiconductor Device, Japan
• „Challenging the 2D-Short Circuit Detection Method for SiC MOSFETs“, Patrick Hofstetter et al, Universität Bayreuth, Deutschland

Weitere Diskussionen befassen sich mit dem zukünftigen Entwicklungspotenzial für Bauelemente auf Si-Basis, die zumindest während der nächsten zwanzig Jahre noch die wichtigsten Komponenten für die meisten Systemanwendungen in der Massenfertigung bleiben werden. Professor Leo Lorenz, Vorsitzender des Board of Directors der PCIM Europe, teilt mit, dass im Rahmen der Konferenz neue Entwicklungen bei Si-Bauelementen mit herausragenden elektrischen, thermischen und Zuverlässigkeitseigenschaften ebenso vorgestellt werden wie Bauelemente, die für bestimmte Anwendungen optimiert sind, wie zum Beispiel im Auto oder bei Stromversorgungstechnologien.

Ebenfalls auf der Tagesordnung...

...der PCIM Europe Konferenz: niederinduktive Packaging Technologien mit Multilagen-Ceramic Substraten, integrierter Kühlung für extrem schnelle Schalter und herausragender Leistungsdichte. Dies betrifft unter anderem die Entwicklung neuer Chip-Kontaktier Technologien für signifikant höhere Lastwechselzyklen, ebenso wie neue Werkstoffe für eine effektive Wärmeabfuhr bei gleichzeitig hoher Isolationsfestigkeit. Um dieses Ziel zu erreichen, müssen die Wärmeausdehnungskoeffizienten aller im Gehäuse verwendeten Werkstoffe, einschließlich der Chips selbst, genau aufeinander abgestimmt sein. Experten werden in den folgenden Vorträgen ihr Know-how weitergeben:

• „GaN Micro-Heater Chip for Power Cycling of Die Attach Modules with Ag Sinter Joint and High Temperature Solder“, Dongjin Kim et al, Universität Osaka, Japan
• „Low Inductive SiC Mold Module with Direct Cooling“, Christoph Marczok et al, Fraunhofer Institut IZM, Deutschland
• „Redundant Liquid Cooled SiC Inverter with Highest Power-toWeight Ratio for Electrical Drive Applications“, Stefan Pfefferlein et al, Siemens, Deutschland  

Bis zum 14.03.2019 gibt es das  Konferenzticket zum Frühbuchertarif.