Patentstreit: Einigung zwischen Infineon und Fairchild Semiconductor

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Infineon und Fairchild Semiconductor haben einen Rechtsstreit wegen Patentverletzungen beigelegt. Infineon hatte das Verfahren im November 2008 vor dem US-Gericht für den Bezirk Delaware angestrengt. Gegenstand der Auseinandersetzung waren 14 Patente zu Super-Junction-Leistungstransistoren sowie Trench-Leistungs-MOSFETs und IGBT-Leistungstransistoren. Beendet wurde der Rechtsstreit durch ein gegenseitiges Patentabkommen über Halbleitertechnologien. Im Rahmen dieser Vereinbarung wird Fairchild außerdem Zahlungen in nicht genannter Höhe an Infineon leisten.

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