P-Kanal-Leistungs-MOSFETs für -55 bis +225°C

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CISSOID stellt eine Produktfamilie von 30V-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs für den Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +225°C vor. Die Venus-Familie mit den Bezeichnungen CHT-PMOS3002, CHT-PMOS3004 und CHT-PMOS3008 sind jeweils für 2A, 4A und 8A Drain-Strom ausgelegt. Sie ergänzen die Saturn-Familie von N-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Sie weisen laut Anbieter hervorragende Hochtemperatur-Eigenschaften auf.

 

Beim CHT-PMOS3002 und 225°C beträgt der Leckstrom weniger als 50nA, während der Drain Off Strom 10μA nicht übersteigt und das bei einer Turn-On Delay-Zeit von 30ns. Der RDSon-Widerstand und die Eingangs-Kapazitäten der Familie bzw. Palette bewegen sich im Bereich von 0,4 Ohm bis 1,7 Ohm und von 150pF bis 450pF.

 

Die CHT-PMOS30xx Familie ermöglicht das Design von Systemen in einer rauen Umgebung von -55°C bis +225°C. Diese Erfordernisse sind für viele Power-Management-Applikationen wie bei Motor-Treibern, DC/DC-Wandlern, SMPS und Wechselrichtern nötig. Darüber hinaus erleichtert die Venus-Leistungs-MOSFETs die Steuerung von High-Side-Schalter, hier keine Bootstrap oder Ladungspumpentechniken angewendet werden müssen.

 

Mit der CHT-PMOS30xx Familie können System-Designer Applikationen wie industrielle Prozesskontrolle, Autobatterie-Ladegeräte und Flugzeug-Antriebe realisieren. Bisherige Flüssigkeitskühlungen bei diesen Anwendung sind nicht mehr nötig.

 

CHT-PMOS3002, CHT-PMOS3004, and CHT-PMOS3008, sind für die Bemusterung und Erprobung im TO-254 Metall-Gehäuse erhältlich. Die Preise beginnen bei 201,40€ für Abnahmenmengen bis zu 200 Bauteile.

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