Die SiC-Fertigung soll mit einer mehrjährigen Investition bis zu 2 Mrd. USD (44 Mrd. CZK) in der Region Zlín erbaut werden. Damit werden derzeitige Aktivitäten des Unternehmens in der Tschechischen Republik erweitert, zu denen Siliziumkristallzüchtung, die Herstellung von Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern (poliert und EPI) sowie eine Silizium-Wafer-Fabrik gehören.
Aktuell können an diesem Standort jährlich mehr als drei Millionen Wafer hergestellt werden, was mehr als einer Milliarde Leistungsbauelemente entspricht.
onsemi plant SiC-Leistungshalbleiter-Fab in Tschechien
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