NXP: MOSFETs für PoE-Applikationen

PRODUKT NEWS ANALOGTECHNIK



NXP Semiconductors stellte eine Familie seiner NextPower Live MOSFETs speziell für Power over Ethernet-Applikationen (PoE) vor. Die Bausteine PSMN040-100MSE und PSMN075-100MSE sind für PoE-Architekturen mit Leistungen von 30W und mehr (z. B. PoE+, UPoE und LTPoE++) geeignet.

 

PoE wird verwendet, um Geräte über ein Ethernet-Kabel und die entsprechende Schnittstelle mit Strom zu versorgen, anstatt ein zusätzliches Netzteil einzusetzen. Zunächst wurde diese Technik nur für Geräte mit geringer Leistung – zum Beispiel VoIP-Telefone – genutzt.

 

Inzwischen ist es mit Lösungen wie UPoE oder LTPoE++ möglich, auch Geräte mit höherer Leistungsaufnahme wie etwa PoS-LCD-Bildschirme oder 3G/4G Access Points mit Leistungen bis zu 100W zu betreiben. Wenn so viel Leistung im Spiel ist, kann es vorkommen, dass das Power Sourcing Equipment (PSE), also beispielsweise ein Netzwerk-Router, Switch oder Midspan, beschädigt werden, wenn durch einen Kurzschluss oder einen Fehler im Powered Device (PD) ein zeitlich nicht begrenzter Stromstoß entsteht.

 

Die Systeme mit höherer Leistung stellen somit höhere Anforderungen an die MOSFETs, die zur Versorgung und zum Schutz dieses Equipments dienen. Die NextPower Live PoE-MOSFETs von NXP verfügen über einen sicheren Arbeitsbereich (Safe Operating Area – SOA), der doppelt so groß ist wie bei bereits existierenden Lösungen.

 

Dies sorgt für Schutz und verbessert die Systemzuverlässigkeit. Die PoE-Bausteine befinden sich im zuverlässigen LFPAK33-Gehäuse, das hinsichtlich seines Footprints kompatibel zu ähnlichen Bausteinen ist.

Fachartikel