NXP: Bipolartransistoren im 1mm flachen Gehäuse

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NXP Semiconductors hat Bipolartransistoren im flachen LFPAK56-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT669, 5mm x 6mm x 1mm) vorgestellt. Das Portfolio umfasst sechs 60-V- und 100-V-Transistoren mit einem Kollektorstrom (IC) bis zu 3A bzw. Spitzenströmen (ICM) bis 8A.

Die Transistortypen bieten eine maximale Verlustleistung (Ptot) von 3W. Voraussetzung für die Leistungsdichte sind der integrierte Kupferclip und die große Kühlfläche des Gehäuses, die zu einer Reduzierung der auftretenden elektrischen und thermischen Widerstände beitragen.


Darüber hinaus kommt beim LFPAK-Gehäuse keinerlei Drahtbonden zum Einsatz, was eine höhere mechanische Robustheit und Zuverlässigkeit des Produkts ermöglicht.


Vier der sechs neuen LFPAK56-Bipolartransistoren sind AEC-Q101-qualifiziert und eignen sich für Automotive- und Industrie-Anwendungen mit Umgebungstemperaturen bis zu 175°C. Weitere Einsatzgebiete liegen in der LED-Beleuchtung, bei Motorantrieben sowie bei allgemeinen Anwendungen zur Spannungsversorgung.


Im Verlauf des Jahres soll dieses Portfolio durch Doppeltransistoren im LFPAK56D-Gehäuse sowie LFPAK56-Hochstromvarianten mit 6, 10 und 15A erweitert werden.

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