NPN- und PNP-Bipolartransistoren

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Diodes erweitert sein Portfolio an Bipolartransistoren um die Serien DXTN/P 78Q und 80Q. Diese NPN- und PNP-Transistoren sind laut Hersteller für Schalt- und Steuerungsanwendungen im Automobilbereich optimiert. Die zwölf Bausteine ​​eignen sich für 12-V-, 24-V- und 48-V-Systeme.



Sie sind laut Diodes für die Gate-Ansteuerung von MOSFETs und IGBTs, das Schalten von Stromleitungen und Lasten, die Spannungsregelung mit niedrigem Spannungsabfall (LDO), die DC/DC-Wandlung sowie die Ansteuerung von Motoren, Magnetventilen, Relais und Aktoren ausgelegt.

Technische Details

  • Mit einer und hoher ESD-Festigkeit (HBM 4 kV, CDM 1 kV) gewährleisten sie einen Betrieb auch unter rauen Bedingungen im Automobilbereich.
  • Die im PowerDI 3333-8-Gehäuse (3,3mm x 3,3mm) untergebrachten Bausteine haben eine Nennbetriebstemperatur von bis zu +175°C. ​​
  • Ein Kühlkörper auf der Unterseite sorgt für einen Wärmewiderstand (RθJL) von 4,2°C/W.
  • Beide Serien decken einen BVCEO-Bereich von 30V bis 100V ab und bietet Dauerströmen bis zu 10A und eine Impulsstrombelastbarkeit von 20A.


Die DXTN/P 78Q-Serie ist zu Preisen zwischen 0,19 und 0,21US-Dollar erhältlich, die DXTN/P 80Q-Serie zu Preisen zwischen 0,20 und 0,22US-Dollar; jeweils in Abnahmemengen von 6.000 Stück. Standardkonforme Versionen, die DXTN/P 78- und 80-Serie, sind ebenfalls verfügbar und eignen sich für industrielle und kommerzielle Anwendungen.