Nexperia und UASE kooperieren bei GaN-Lösungen für Elektromobilität

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Nexperia hat mit United Automotive Electronic Systems (UAES) eine Partnerschaft für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente (GaN) vereinbart. Im Mittelpunkt stehen Energieversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge, die gemeinsam auf Basis von GaN-Technologie entwickelt werden sollen. Dazu werden Investitionen in ein gemeinsames Labor getätigt.



Die Elektrifizierung von Autos, der Leistungsbedarf von 5G-Telekommunikationslösungen und Industrie 4.0 erfordern Energiewandler mit hoher Energieeffizienz, was mit GaN-Technologien möglich wird. UAES setzt GaN-FETs von Nexperia bereits in F&E- und Kooperationsprojekten ein unter anderem in fahrzeuginternen Ladegeräten und Hochspannungs-DC/DC-Wandlern für Elektroautos. Die GaN-Bauelemente werden nach den Qualitätsanforderungen des Automobilindustrie-Standards AEC-Q101 gefertigt.


UAES bietet Automobilherstellern Systemlösungen für den Antriebsstrang und die Karosserieelektronik. Das Unternehmen ist auf Steuerungssysteme für Verbrennungsmotoren, Getriebeeinheiten, Karosserieelektronik sowie Hybrid- und Elektroantriebe spezialisiert. Seine fünf Technologiezentren in China verfügen über Labore für die Entwicklung von Motoren, Automatikgetrieben, Elektroantrieben und kompletten Fahrzeugen.