Für Wide-Bandgap-Halbleiter (WFür G) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) baut Nexperia eine Produktionsinfrastruktur in Hamburg auf. In diesem Zuge werden auch die Fertigungskapazitäten im Bereich Silizium (Si)-Dioden und -Transistoren erhöht.

Seit Juni 2024 werden alle drei Technologien (SiC, GaN und Si) in Deutschland entwickelt und produziert. Die ersten Linien für Hochspannungs-GaN-D-Mode-Transistoren sowie für SiC-Dioden sind gestartet. Der nächste Schritt sind 200-mm-Produktionslinien für SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs. Diese werden innerhalb der kommenden zwei Jahre in der Hamburger Fabrik entstehen. Gleichzeitig soll die Investition dazu beitragen, die bestehende Infrastruktur am Hamburger Standort weiter zu automatisieren und durch Umstellung auf 200-mm-Wafer die Silizium-Produktionskapazität zu erhöhen. Der Erweiterung der Reinraumflächen folgt die Errichtung neuer F&E-Labore.

Zur Geschichte

Den Produktionsstandort von Nexperia in Hamburg-Lokstedt gibt es schon seit 100 Jahren. Seit der Gründung der Valvo Radioröhrenfabrik im Jahr 1924 hat sich der Standort weiterentwickelt und liefert heute laut Nexperia rund ein Viertel der weltweiten benötigten Kleinsignal-Dioden und -Transistoren aus. Seit der Ausgliederung aus NXP im Jahr 2017 hat Nexperia in den Standort Hamburg investiert, die Belegschaft von 950 auf etwa 1.600 Beschäftigte erhöht und die technologische Infrastruktur modernisiert.