19.11.2019

Nexperia bringt GaN-FET

Nexperia hat mit der Vorstellung des 650-Volt GAN063-650WSA seinen Eintritt in den Galliumnitrid(GaN)-FET-Markt bekannt gegeben. Ein Bauelement mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 V, einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C und einem RDS(on) von 60 mΩ.


Bild: Nexperia

Nexperia will sich auf Segmente mit Hochleistungsanwendungen ausrichten, zu denen neben Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur unter anderem auch die industrielle Automation und High-End-Netzteile gehören.


 


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