Das neue Gehäuse übernimmt das flexible Pin-Raster-System, das für individuelle Anpassungen wichtig ist. Das erste Modul im neuen Gehäusedesign hat einen Nennstrom von 400A und ist mit einer dreistufigen ANPC-(Advanced Neutral Point Clamping)-Topologie ausgestattet. Es ist optimiert für Solarwechselrichter mit einer Eingangsspannung von 1500V.


Der 1500-V-Wechselrichter wird u.a. in Solarkraftwerken eingesetzt. Der weltweite Gesamtabsatz bezogen auf die Ausgangsleistung der Solarkraftwerke für diese Spannungsklasse betrug 32,7 GW im Jahr 2018. Die erwartete durchschnittliche jährliche Wachstumsrate für die nächsten fünf Jahre soll laut Infineon voraussichtlich bei 20,6 Prozent liegen. Um diesen Markt zu bedienen, ist das Modul mit einer IGBT-Technologie mit einer Sperrspannung von 950V ausgestattet.



Die Grundfläche des Easy 3B-Gehäuses ...

beträgt 110mm x 62mm und ist damit 2,5 mal größer als die des Easy 2B. Das Modul ermöglicht ein effizientes Wechselrichterdesign mit einer Leistung von bis zu 150kW und einer Leistungsdichte von mehr als 500 W/Liter. Infineon plant, ein vollständiges Easy 3B-Portfolio für den Markt der industriellen Antriebe auf Basis des TRENCHSTOP IGBT7-Chips zu entwickeln. Damit wird das aktuelle Easy-Portfolio für Antriebe um höhere Nennströme erweitert.


Da das Easy-Gehäuse eine geeignete Plattform auch für Anwendungen wie EV-Ladegeräte und Energiespeichersysteme ist, wird Infineon auch hierfür Produkte vorstellen. Laden und Speichern sind auf hohe Effizienz angewiesen. Das neue Easy 3B-Gehäuse wird deshalb auch mit der neuesten Siliziumkarbid-Chip-Technologie von Infineon, dem CoolSiC MOSFET, auf den Markt gebracht.



Verfügbarkeit

Das Easy 3B ist bereit für die Volumenproduktion. Das F3L400R10W3S7_B11 wird ab Juni 2019 zur Verfügung stehen, Muster können ab sofort bestellt werden.