Das Fabless-Halbleiterunternehmen Cambridge GaN Devices hat einen neuen CEO. Beim Entwickler GaN-basierter Leistungsbauelemente hat Fabio Necco zum CEO benannt.
Necco übernimmt die Position von CGD-Mitbegründerin Giorgia Longobardi, die ihrerseits als CMO (Cambridge GaN Devices) im Unternehmen tätig sein wird. Daneben wird sie auch weiterhin als Direktorin im Vorstand von CGD und im Beirat der International Semiconductor Industry Group (I.S.I.G.) tätig sein.
Necco kommt von onsemi, einem US-amerikanischen Halbleiterunternehmen, wo er zuletzt als Vice President und Division General Manager arbeitete. Er verfügt über mehr als 25 Jahre Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik, Anwendungstechnik, Fahrzeugelektrifizierung und Rechenzentren.
Cambridge GaN Devices…
entwickelt GaN-Transistoren und ICs und ist ein Fabless-Unternehmen, das aus der Universität Cambridge hervorgegangen ist.
