11.09.2018

MOSFETs mit doppelseitiger Kühlung

Toshiba Electronics Europe stellt mit dem TPWR7940PB und TPW1R104PB zwei 40V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im DSOP Advance (WF) Gehäuse vor, das eine beidseitige Kühlung ermöglicht. Der TPWR7940PB ist ein 40V-MOSFET mit maximal 0,79mΩ RDS(ON) im DSOP Advance (WF)L Gehäuse. Der TPW1R104PB ist ein 40V-MOSFET mit maximal 1,14mΩ RDS(ON) im DSOP Advance (WF)M Gehäuse. Beide Bausteine sind AEC-Q101-qualifiziert. Sie zielen auf Anwendungen in Fahrzeugen ab, wie z.B. elektrische Servolenkungen (EPS), Lastschalter und elektrische Pumpen.


Bild: Toshiba

Sowohl das DSOP Advance (WF)M als auch das DSOP Advance (WF)L sind 5 mm x 6 mm Gehäuse mit acht Pins. Sie unterscheiden sich in der Größe ihrer freiliegenden Metalloberfläche. Diese beträgt etwa 8 mm2 beim DSOP Advance (WF)M und etwa 12 mm2 beim DSOP Advance (WF)L. Messungen in Toshibas Testumgebung ergaben eine maximale Wärme-Impedanz zwischen Kanal und Metalloberfläche von 1,5K/W für den TPW1R104PB und 0,93 K/W für den TPWR7940PB. Dieses Wärmeverhalten wird durch die Befestigung der freiliegenden Oberfläche über eine isolierende Schicht an einen Kühlkörper möglich.

 

Das DSOP Advance (WF)M und DSOP Advance (WF)L weisen die gleiche Stellfläche wie ein SOP Advance (WF) Gehäuse auf, das keine freiliegende Metalloberfläche aufweist. Sie bieten benetzbare Anschlüsse, die eine automatische optische Inspektion (AOI) von Lötstellen auf Leiterplatten ermöglichen.


 


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