MOSFETs im TOLL-Gehäuse für Elektrofahrzeug-Anwendungen

STROMVERSORGUNG AUTOMOTIVE

Automotive-MOSFETs im thermisch effizienten TOLL-Gehäuse (TO-Leadless; PowerDI1012-8) stellt Diodes Incorporated vor. Die 100V-MOSFETs DMTH10H1M7STLWQ und DMTH10H2M5STLWQ und die 80V-MOSFETs DMTH8001STLWQ (alle mit einer Betriebstemperatur bis 175°C) weisen eine Bauhöhe von 2,4mm auf.



Die Bausteine sind für den Einsatz in Leistungselektronik-Anwendungen wie Energierückgewinnung, integrierte Starter-Generatoren und DC/DC-Wandler in batteriebetriebenen Fahrzeugen ausgelegt.


Das TOLL-Gehäuse ...

verwendet Clip-Bonding, um einen niedrigen Gehäusewiderstand und eine kleine parasitäre Gehäuse-Induktivität zu erzielen. Die MOSFETs DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ und DMTH10H2M5STLWQ weisen typische Durchlasswiderstände von 1,3; 1,4 bzw. 1,68mΩ bei einer Gate-Ansteuerung von 10V auf. Darüber hinaus bedingt die niedrige parasitäre Gehäuse-Induktivität geringere elektromagnetische Störungen (EMI).

Mit einer um 50% größeren Lötkontaktfläche als beim TO263 ermöglicht das TOLL-Gehäuse eine thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,65°C/W. Die MOSFETs können damit Ströme bis zu 270A führen. Ihre verzinnten, trapezförmigen Anschlüsse erleichtern die automatische optische Inspektion (AOI). Die MOSFETs sind nach AEC-Q101 qualifiziert, PPAP-konform und werden in IATF-16949-zertifizierten Einrichtungen gefertigt.


Preise

Ab 10.000 Stück kosten der DMTH10H1M7STLWQ und DMTH8001STLWQ je 2,36 US$; der DMTH10H2M5STLWQ je 2,00 US$.

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