Die N-Kanal-MOSFETs (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW und XSM6K336NW) und die P-Kanal-MOSFETs (XSM6J372NW) befinden sich im DFN2020B(WF)-Gehäuse und sind für die Automobilelektronik vorgesehen. Im
Warum braucht man das?
Im Vergleich zum UDFN6B-Gehäuse von Toshiba verbessert die benetzbare Flankenstruktur die Lötbarkeit. Ein weiterer Faktor ist eine bessere Sichtbarkeit der Lötstelle. Dadurch ist es möglich, die Qualität der Lötverbindung mithilfe automatischer optischer Inspektionsgeräte (AOI) zu überprüfen. Das neue Gehäuse weist zudem in Scherkrafttests an Lötverbindungen eine um ca. 23% höhere Festigkeit auf als das derzeit verfügbare SOT-23F-Gehäuse von Toshiba. Die Gehäusegröße beträgt 2mm x 2mm x 0,6mm.
Ausgewählte Einsatzbereiche
- DC/DC-Wandler für elektronische Steuergeräte (ECUs)
- Lastschalter für LED-Scheinwerfer
Die Produkte entsprechen der AEC-Q101, darüber hinaus steht das Produktionsteil-Freigabeverfahren PPAP (Production Part Approval Process) gemäß der internationalen Norm IATF 16949 für Qualitätsmanagementsysteme für die Kfz-Branche zur Verfügung.
