22.01.2015

MOSFET-H-Brücken für Motorsteuerungen und drahtloses Laden

Ein Paar der MOSFET-H-Brücken von Diodes vereinfacht Motorsteuerungen und induktives drahtloses Laden, indem die Bauteilanzahl verringert und der Platzbedarf laut Anbieter um die Hälfte verringert wird.


Die für 40V ausgelegte H-Brücke DMHC4035LSD eignet sich für Motorantriebe in der Automobilelektronik. Die für 30V ausgelegte H Brücke DMHC3025LSD ist für 12V-Einphasen-Lüfter vorgesehen.


Mit Dual-N-Kanal- und Dual-P-Kanal-MOSFETs in einem 5mm x 6mm SO-8-Gehäuse steht eine vollständige H-Brücke (DMHC3025LSD oder DMHC4035LSD) bereit, um vier SOT23- oder zwei SO-8-Gehäuse in platzbeschränkten Automotive- und Industrieanwendungen zu ersetzen. Dazu zählen u.a. stromsparende Steuerungen für bürstenlose DC-Motoren, Lüfterregelungen und ähnliche Anwendungen zur Ansteuerung induktiver Lasten.


Neben ihrem Platzvorteil bieten die H-Brücken auch den niedrigen Durchlasswiderstand RDS(ON) von MOSFETs: 45 mΩ bei 10V UGS bzw. 65 mΩ bei -10V UGS für die 40V-N-Kanal- und P-Kanal-Bausteine. Die geringen Leitungsverluste, die auf dem niedrigen RDS(ON) basieren, machen die H-Brücken für hohe Dauerströme und Motorblockierzustände tauglich. Unter +70°C Betriebstemperatur unterstützen die 30V- und 40V-H-Brücken Dauerströme von 3A bzw. 2 A und decken damit Worst-Case-Blockierzustände ab.


Die H-Brücken DMHC3025LSD und DMHC4035LSD kosten jeweils 0,40 US-$ (ab 10.000 Stück).


 


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