27.02.2006

Miniaturisierte Bipolar-Transistoren f√ľr Stromversorgungen




Durch die Kombination komplement√§rer NPN- und PNP-Transistoren in einem SOT236-Geh√§use realisiert der ZXTC2045E6 von Zetex Semiconductors die Ansteuerung leistungsf√§higer Power-MOSFETs und IGBTs in Stromversorgungsdesigns. Die bipolaren Bauelemente unterst√ľtzen einen Spitzen-Impulsstrom von bis zu 5A und sichern damit eine schnellere Ladung/Entladung der Gate-Kapazit√§ten. Separate Emitteranschl√ľsse der NPN- und PNP-Bauelemente bieten die M√∂glichkeit, individuelle Widerstandswerte auszuw√§hlen, um die Gate-Ladungs-/Entladungszyklen noch exakter einzustellen. Das Dual-Transistor-Geh√§use SOT236 hat einen Platzbedarf von 9mm2 und eine Bauh√∂he von 1,3mm. Der Betriebsnennwert des Bauelementes betr√§gt 40V. Mit einer typischen Verst√§rkung von 300 eignet sich der ZXTC2045E6 f√ľr zahlreiche Gate-Treiberschaltungen. Der Preis betr√§gt 0,153US$ bei 10.000er St√ľckzahlen.


 


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