Toshiba Electronics Europe stellt einen Baureiher kleiner Signal-MOSFETs vor die 1,2 V Steuerspannung erfordern und einen geringen Durchlasswiderstand bieten. Die SSM3x35-Familie besteht aus einer Reihe von single n- oder single p-Kanal Transistoren, sowie aus einer Kombination von jeweis einem n- und p-Kanal Transistor in einem Gehäuse. Auch sind Dual- Versionen (jeweis 2 n-Kanal oder p- Kanal Transistoren) in einem 6 Pin Gehäuse erhältlich.
Die Package Varianten reichen die von einer Leadless-Version mit den Abmessungen 1,0 mm x 0,6 mm x 0,38 mm bis zu Versionen im SOT-363-Gehäuse (2,0 mm x 2,1 mm x 0,9 mm). Die n-Kanal-Bausteine sind für einen maximalen Gleichstrom von 180 mA ausgelegt; die p-Kanal-MOSFETs für –100 mA. Der maximale Durchlasswiderstand Ron beträgt (bei 1,2 V Steuerspannung) 20 bzw. 44 Ω.
Die Single (1-in-1) n-Kanal-(SSM3K35xx) und p-Kanal-(SSM3J35xx) MOSFETs sind im CST3-(1,0 mm x 0,6 mm x 0,38 mm), VESM-(1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm) und SSM-(1,6 mm x 1,6 mm x 0,7 mm) Gehäuse erhältlich. Dual-Transistor-Versionen (2-in-1) stehen als Dual-n-Kanal-(SSM6Nxx), Dual-p-Kanal-(SSM6Pxx) und n-/p-Kanal-Kombinationsbausteine (SSM6L35xx) im SOT-563- und SOT-363-Gehäuse zur Verfügung.
