Das Abkommen erweitert die Bezugsquellen von Macom und räumt ST das Recht ein, eigene GaN on Silicon-Produkte (GaN: Galliumnitrid) zu produzieren und zu vertreiben.
Macom will mit diesem Abkommen eine vergrößerte Siliziumwafer-Fertigungskapazität erreichen und damit von einer verbesserten Kostenstruktur profitieren. Die Leistungsdichte von GaN on Silicon soll 4G/LTE- und Massive-MIMO-5G-Antennen ermöglichen. Dadurch soll die Silizium-LDMOS-Technologie verdrängt und die Verbreitung von GaN on Silicon auf Mainstream-Märkten beschleunigt werden.
Schon seit einigen Jahren arbeiten ST und Macom gemeinsam daran, die GaN on Silicon-Produktion in der CMOS-Wafer-Fab von ST an den Start zu bringen. Aktuellen Planungen zufolge soll die Produktion von Mustern bei ST noch im Jahr 2018 beginnen.
Macom und STMicroelectronics entwickeln GaN-on-Silicon-Wafer
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