Macom und STMicroelectronics entwickeln GaN-on-Silicon-Wafer

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Macom Technology Solutions Holdings, ein Anbieter von HF-, Mikrowellen, Millimeterwellen- und Photonik-Halbleiterprodukten, und STMicroelectronics haben ein Abkommen zur Entwicklung von GaN-on-Silicon-Wafern geschlossen. Sie werden von ST für Macom produziert und ST lizenziert seinerseits die Technologie.



Das Abkommen erweitert die Bezugsquellen von Macom und räumt ST das Recht ein, eigene GaN on Silicon-Produkte (GaN: Galliumnitrid) zu produzieren und zu vertreiben.


Macom will mit diesem Abkommen eine vergrößerte Siliziumwafer-Fertigungskapazität erreichen und damit von einer verbesserten Kostenstruktur profitieren. Die Leistungsdichte von GaN on Silicon soll 4G/LTE- und Massive-MIMO-5G-Antennen ermöglichen. Dadurch soll die Silizium-LDMOS-Technologie verdrängt und die Verbreitung von GaN on Silicon auf Mainstream-Märkten beschleunigt werden.


Schon seit einigen Jahren arbeiten ST und Macom gemeinsam daran, die GaN on Silicon-Produktion in der CMOS-Wafer-Fab von ST an den Start zu bringen. Aktuellen Planungen zufolge soll die Produktion von Mustern bei ST noch im Jahr 2018 beginnen.

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