Macom: GaN-Technologie auf Silizium für Volumenproduktion

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M/A-COM Technology Solutions (Macom) hat die vierte Generation seiner Galliumnitrid-Technologie auf Silizium (GaN auf Si) vorgestellt. Mit einer Leistung, die mit der teuren GaN-Technologie auf Siliziumkarbid (GaN auf SiC) konkurrieren kann und einer im Vergleich zur LDMOS-Technologie niedrigeren Kostenstruktur in der Serienfertigung, ist die vierte GaN-Generation (Gen4 GaN) für den Massenmarkt geeignet.

Gen4 GaN liefert einen Spitzen-Wirkungsgrad von über 70% und 19dB Verstärkung für modulierte Signale bei 2,7GHz. Das ist vergleichbar mit GaN-Technologien auf SiC. Sie liefert laut Anbieter eine über 10 Prozentpunkte höhere Effizienz als LDMOS sowie eine mehr als vierfache Leistungsdichte von LDMOS.


Diese Leistung soll GaN-basierte Bauteile für die Hälfte der Halbleiterkosten pro Watt von vergleichbaren LDMOS-Produkten liefern - bei bedeutend geringeren Kosten als vergleichbar leistungsstarke GaN auf teuren SiC-Wafern in der Serienfertigung. Bauteile, die auf Gen4 GaN basieren, sollen 2016 in die Massenproduktion gehen. Muster sind bereits heute für Anwender verfügbar.

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