03.06.2016

Macom: GaN-Leistungstransistoren im Kunststoffgehäuse

M/A-COM Technology Solutions (Macom) stellt GaN-on-Silicon-Leistungstransistoren der Serie MAGb für den Einsatz in Makro-Basisstationen für den Mobilfunk vor.


Die Leistungstransistoren MAGb-101822-240B0P und MAGb-101822-120B0P basieren auf der Gen4 GaN-Technologie des Herstellers und befinden sich in robusten, preisgünstigen Kunststoffgehäusen. Durch die verbesserte Kosteneffizienz lassen sich die GaN-Leistungstransistoren verstärkt als Nachfolger früherer LDMOS-Lösungen in Basestation-Anwendungen benutzen.


Die Leistungstransistoren MAGb-101822-240B0P und MAGb-101822-120B0P besitzen Kunststoffgehäuse der Bauart TO-272. Sie erreichen eine maximale Ausgangsleistung von 320W bzw. 160W im Load-Pull-System nur mit Grundabstimmung und decken sämtliche Mobilfunkbänder und Leistungspegel im Frequenzbereich von 1,8 bis 2,2GHz ab. Durch die Eignung dieser Transistoren für den Betrieb in einem 400MHz breiten Frequenzband wird die Verwendung mehrerer LDMOS-basierter Produkte überflüssig.



Energieeffizienz verbessert

MAGb-Leistungstransistoren im Kunststoffgehäuse kommen auf eine Energieeffizienz von 79%, was laut Macom gegenüber LDMOS-Lösungen eine Verbesserung um 10% bedeutet und das nur mit Grundabstimmung bei einer Bandbreite von 400MHz sowie einer linearen Verstärkung bis zu 20dB. Diese Transistoren sind damit eine Alternative zu Bausteinen in Keramikgehäusen, ohne dass dies zu Lasten der HF-Performance oder der Zuverlässigkeit geht. Die thermischen Eigenschaften sind laut Anbieter sogar um 10% besser als bei MAGb-Produkten im Keramikgehäuse.



Die Leistungstransistoren erlauben ...

die Implementierung eines einfachen, symmetrischen Doherty-Verstärkerdesigns, wobei gegenüber den komplexen und weniger leistungsfähigen asymmetrischen Doherty-Topologien, die bei LDMOS-Transistoren erforderlich sind, eine ausgezeichnete HF-Performance gewahrt wird. Mit den Transistoren der MAGb-Serie bestückt, sind Doherty-Verstärker genauso DPD-freundlich wie Lösungen auf LDMOS-Basis. Macom hat bereits Demonstrationen mit den DPD-Lösungen von Xilinx entwickelt.


Die GaN-basierten, auf der Gen4 Technologie von Macom beruhenden Leistungsverstärker der MAGb-Serie erlauben Mobilfunk-Betreibern die Nutzung der neuesten LTE-Releases. Ausgewählte Produkte aus der GaN-Leistungstransistor-Serie MAGb werden bereits für qualifizierte Kunden bemustert.


 


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