29.02.2016

Macom: GaN-Leistungstransistoren für Mobilfunkbänder von 1,8 bis 3,8 GHz

M/A-COM Technology Solutions (Macom) hat GaN-Leistungstransistoren der Serie MAGb für den Einsatz in Makro-Basisstationen entwickelt. Auf der Gen4 GaN-Technologie des Herstellers basierend, ist die Serie für kommerzielle Basisstationen optimiert und bietet eine LDMOS-ähnliche Linearität und Kostenstruktur. Nach Macom-Angaben ist abzusehen, dass die LDMOS-typischen Kosten bei höheren Produktionszahlen sogar noch unterboten werden.


Die Leistungstransistoren der MAGb-Serie sind für sämtliche Mobilfunkbänder im Bereich von 1,8GHz bis 3,8GHz geeignet. Zu den ersten Produkten dieser Serie gehören Single-Ended-Transistoren, die in kleinen Gehäusen Spitzenleistungen bis zu 400W unterstützen, Doppeltransistoren sowie Doherty-Konfiguration als Single-Package-Ausführung für Spitzenleistungen bis zu 700W in Symmetric- und Asymmetric-Power-Optionen.


Die Produktserie kommt laut Macom gegenüber älteren LDMOS-Lösungen auf bis zu 10% mehr Energieeffizienz, während die Gehäuseabmessungen um über 15% geringer sind. Die auf der linearen Gen4-Technologie basierenden MAGb-Bausteine lassen sich verglichen mit anderen GaN-Technologien einfach mit DPD-Verfahren (Digital Pre-Distortion) linearisieren und korrigieren.



Darüber hinaus decken die Leistungstransistoren einen größeren Frequenzbereich ab als LDMOS-Produkte, sodass sich die wichtigen Mobilfunkbänder mit weniger Bauelementen abdecken lassen. Die Produktfamilie weist diese Vorteilen auf, zeichnet sich aber gleichzeitig durch einfachere Doherty-Implementierungen aus als bei LDMOS-basierten Transistoren und wahrt dabei eine Videobandbreite von mehr als 200MHz.



Die ersten verfügbaren Produkte

Der Baustein MAGB-101822-120B0S als erstes Produkt dieser Familie deckt eine HF-Bandbreite von 500MHz zwischen 1,7GHz und 2,2GHz ab. Das Produkt im kompakten AC-400 Keramikgehäuse kommt auf eine Spitzenleistung von 160W und einen maximalen Wirkungsgrad von 74% nur mit Grundabstimmung. Es bietet eine lineare Verstärkung von mehr als 19 dB im gesamten 500-MHz-Band.


Als zweites Produkt der Serie folgt der MAGB-101822-240B0S, der die doppelte Ausgangsleistung des MAGB-101822-120B0S bietet, verbunden mit einer maximalen Ausgangsleistung von über 320W, einer linearen Verstärkung von 19 dB und einem maximalen Wirkungsgrad von über 72% nur mit Grundabstimmung über die HF-Bandbreite von 500MHz.


Das Keramikgehäuse ist vom Typ AC-780. Der maximale Wirkungsgrad beider Bausteine lässt sich auf deutlich mehr als 80% anheben, wenn sie mit passenden Abschlüssen betrieben werden.



Die Serie ...

erschließt die Effizienz, Größen- und Breitbandvorteile der Gen4-GaN-Reihe von Macom. Mobilfunkbetreiber können damit die neusten LTE-Versionen installieren und ihre Betriebskosten senken. Hinzu kommt eine skalierbare Lieferkette, kombiniert mit Applikations- und Design-Support. Muster ausgewählter Produkte der GaN-Leistungstransistoren sind für qualifizierte Kunden bereits verfügbar. 


 


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