Der GaN-auf-Silizium D-Mode HEMT eignet sich für militärische Kommunikations-Anwendungen, mobilen Landfunk, Avionik, Mobilfunk-Infrastrukturen, ISM-Anwendungen und Radarsysteme im VHF/UHF/L/S-Band. Der Chip unterstützt den Dauerstrichbetrieb ebenso wie den gepulsten und den linearen Betrieb mit Ausgangsleistungen bis zu 100W (50dBm).
Bei einer Betriebsspannung von 50V ermöglicht er den Dauerstrichbetrieb mit einer Verstärkung von 18,3dB bei 2,45GHz und einer Drain-Effizienz von 70%. Im gepulsten Betrieb kommt der Transistor auf eine Verstärkung von 18,4dB bei 2,7GHz und 71% Drain-Effizienz. Der zu 100% HF-getestete Transistor wird in einem Industriestandard-Kunststoffgehäuse mit Schraubflansch angeboten.
Die vierte Generation der GaN-Technik ...
bietet ein Performance-Niveau, das laut Macom mit dem von GaN-auf-SiC (GaN auf Siliziumkarbid) konkurrieren kann, während die prognostizierte Kostenstruktur für die Massenproduktion unter jener der LDMOS-Technologie liegt. Sie bringt damit laut Anbieter die Voraussetzungen mit, um die letzten technischen und kommerziellen Hindernisse auf dem Weg zur massenhaften Verbreitung der GaN-Technik aus dem Weg zu räumen.
Gen4 GaN erreicht eine maximale Effizienz von 70% und eine Verstärkung von 19dB für modulierte Signale bei 2,7GHz. Sie liegt damit auf dem Niveau von GaN-auf-SiC-Technologien und ist hinsichtlich der Effizienz um mehr als zehn Prozentpunkte besser als LDMOS. Ihre Leistungsdichte ist mehr als viermal höher als die von LDMOS.
Parameter | Einheit | MAGX-100027-100C0P |
Frequenz | GHz | DC-2,7 |
Kleinsignal-Verstärkung | dB | 18,3 (Dauerstrich), 18,4 (gepulst) |
Gesättigte Ausgangsleistung | dBm | 50,7-50,9 |
Drain-Effizienz | % | 70-71 |
Leistungsverstärkung | dB | 16 |
Der MAGX-100027-100C0P ist ab sofort für die Bemusterung verfügbar.
