Littelfuse: SiC-Schottky-Dioden

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Littelfuse stellt Siliziumkarbid-Schottky-Dioden vor. Dazu gehören fünf Bauelemente der GEN2-Reihe für 1.200 V im TO-247 Gehäuse und drei Dioden in dieser Baureihe für 1.200 V im TO-263 Gehäuse.



Die Effizienz der SiC-Technologien bietet laut Hersteller zahlreiche Vorteile für Konstrukteure von zum Beispiel Ladegeräten oder Stromversorgungen. Da die GEN2 SiC-Schottky-Dioden weniger Energie verbrauchen und bei höheren Übergangstemperaturen arbeiten können als viele andere Lösungen, benötigen sie kleinere Kühlkörper und weniger Systemfläche.

 

Typische Anwendungen für die GEN2 1.200 V Schottky-Dioden sind unter anderem:

  • Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
  • Buck/Boost-Stufen in DC-DC-Wandlern
  • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen (Schaltnetzteile, Solar-, USV-, Industrieantriebe)
  • Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge

Die 3L TO-247 GEN2 SiC-Schottky-Dioden sind mit Nennströmen von 10 A, 15 A, 20 A, 30 A und 40 A erhältlich. Die 2L TO-263 GEN2 SiC-Schottky-Dioden sind mit Nennströmen von 10 A, 15 A und 20 A erhältlich. Alle Versionen haben einen vernachlässigbaren Rückgewinnungsstrom, können hohe Stoßströme ohne thermische Entladung aufnehmen und arbeiten bei Übergangstemperaturen von bis zu 175 °C.

 

Die GEN2-Baureihe ist als TO-247-3L- und TO-263-2L-Variante in Röhren zu 450 Stück erhältlich.

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