Die Level-3-SPICE-Modelle für SiC-MOSFETs wurden für eine verbesserte Konvergenz und schnellere Simulationsleistung optimiert.


Warum war das nötig?

Da Verluste von Leistungshalbleitern die Gesamteffizienz eines Systems stark beeinflussen, ist eine hohe Simulationsgenauigkeit in der Entwurfsphase entscheidend. Rohms bisherige Level-1-SPICE-Modelle für SiC-MOSFETs erfüllten laut Anbieter diese Anforderung, indem sie die wichtigsten Bauelementeigenschaften präzise abbildeten. Konvergenzprobleme bei der Simulation und lange Berechnungszeiten machten jedoch weitere Verbesserungen erforderlich.


Der Lösungsansatz

Die neuen L3-Modelle verwenden einen vereinfachten Ansatz, der sowohl die Rechenstabilität als auch die genaue Wiedergabe der Schaltverläufe beibehält. Gleichzeitig reduziert er die Simulationszeit im Vergleich zu den L1-Modellen laut Rohm um etwa 50%. Dies ermöglicht eine genaue Transientenanalyse des gesamten Schaltkreises in kürzerer Zeit. Dadurch werden die Bewertung von Bauelementen und die Verlustanalyse in der Anwendungsentwicklung vereinfacht.


Verfügbarkeit

Seit April 2025 bietet ROHM 37 L3-Modelle für seine SiC-MOSFETs der vierten Generation an. Diese stehen im Abschnitt „Modelle & Tools“ auf jeder Produktseite zum Download zur Verfügung. Die L1-Modelle werden weiterhin neben den neuen Versionen angeboten.