Forscher des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF haben monolithisch integrierte GaN Power ICs mittels Leiterplatten-Embedding-Technologie als Halbbrückenschaltung inklusive Gate- und Zwischenkreiskondensatoren integriert. Das Ergebnis ist ein Spannungswandler der 600-Volt-Klasse in einem anwendungsfreundlichen Gehäuse. Durch die Integration der passiven Komponenten auf dem PCB-Gehäuse kann der Chip modular eingesetzt werden. Mit den GaN Power ICs in einer Halbbrückenschaltung wurden laut Fraunhfer IAF DC/DC Wirkungsgrade über 98,8% bei 350V erreicht, sowie eine Schaltfrequenz von 40MHz im Dauerbetrieb bei 250 V und resonantem Betrieb erreicht.
Die Entwickler des Fraunhofer IAF haben ihre Galliumnitrid-basierten integrierten Leistungsschaltungen (GaN Power ICs) als Halbbrücke in einer Leiterplatte eingebettet, die gleichzeitig als Gehäuse bereits die Verdrahtungen samt Gate- und Zwischenkreiskondensator bereitstellt. Der resultierende Spannungswandler eignet sich für alle 600-Volt Anwendungen.
