Leistungsmodule mit SiC-MOSFETs

STROMVERSORGUNG

Die mSiC-Leistungsmodule BZPACK wurden von Microchip für die HV-H3TRB-Standards (High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias) entwickelt.



Die BZPACK-Module sind in verschiedenen Topologien erhältlich, darunter Halbbrücken-, Vollbrücken-, Dreiphasen- und PIM/CIB-Konfigurationen. Sie wurden gemäß den HV-H3TRB-Standards getestet und übertreffen laut Anbieter deutlich die 1000-Stunden-Norm.

  • Die Module bieten Sicherheit für industrielle Anwendungen und im Bereich erneuerbarer Energien. Sie nutzen ein 600-V-CTI-Gehäuse (Comparative Tracking Index) und Substratoptionen aus Aluminiumoxid (Al2O3) oder Aluminiumnitrid (AlN).
  • Sie Module verfügen über ein grundplattenloses Design mit Press-Fit-Anschlüssen, lötfreien Klemmen und optional voraufgebrachtem Wärmeleitmaterial (TIM). Sie sind pin-kompatibel.


Die mSiC-MOSFETs der Serien MB und MC sind Lösungen für Industrie- und Fahrzeuganwendungen, wobei AEC-Q101-qualifizierte Optionen verfügbar sind. Die Bauelemente unterstützen gängige Gate-Source-Spannungen (UGS ≥ 15V) und werden in branchenüblichen Gehäusen angeboten, um die Integration zu vereinfachen. HV-H3TRB unterstützt dabei langfristige Zuverlässigkeit, indem sich das Risiko von Feldausfällen durch feuchtigkeitsbedingte Leckströme oder Durchschläge verringert.

Die Serie MC enthält einen Gate-Widerstand, der die Ansteuerung verbessert und geringe Schaltenverluste sowie Stabilität in Multi-Die-Modulkonfigurationen ermöglicht. Derzeit sind Optionen in TO-247-4-Notch- und Die-Form (Waffle Pack) erhältlich.