Dank eines DC-Widerstands, der mit 79 mΩ um 12 Prozent unter dem konventioneller Leistungsinduktivitäten liegen soll, ermöglicht das Bauelement eine Verlustreduzierung. In Verbindung mit den verbesserten DC-Überlagerungseigenschaften bietet es einen Nennstrom von 2,5A.
Leistungsinduktivitäten in Dünnschichttechnologie
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