Leistungsanalysator für die Charakterisierung von IGBT-, SiC und GaN-Bauelementen

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Der dynamische Leistungsanalysator mit Doppelpulstester PD1500A von Keysight ermöglicht nach eigener Angabe zuverlässige und wiederholbare Messungen von Wide-Bandgab-Halbleitern (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Gleichzeitig wird auch die Sicherheit der Messhardware und der Messtechniker, die die Tests durchführen, gewährleistet.



Der PD1500A ist modular aufgebaut, so dass viele Bauteiltypen getestet und verschiedene Charakterisierungstests bei verschiedenen Leistungen durchgeführt werden können. Das nun vorgestellte erste System ermöglicht eine vollständige Charakterisierung mit Doppelpulstests und Parameterextraktion für Si- und SiC-Leistungshalbleiter mit Nennwerten bis zu 1,2kV und 200A. Mit zukünftigen weitere Modulen des PD1500A sollen Tests an Bauteilen durchgeführt werden, die mehr Strom benötigen, wie beispielsweise GaN- und Leistungsmodule.

 

Die vollständige Charakterisierung eines SiC- oder GaN-Bauelements erfordert statische und dynamische Messungen. Die Power Device Analyzer B1505A und B1506A von Keysight sind für statische Messungen geeignet. Mit dem PD1500A bietet Keysight nun auch eine Möglichkeit, dynamischen Messungen durchzuführen. 

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