Leistungs-MOSFETs im PQFN-Gehäuse mit 3,3mm x 3,3mm

STROMVERSORGUNG ANALOGTECHNIK

Infineon Technologies hat eine neue Generation der OptiMOS Source-Down (SD) Leistungs-MOSFETs entwickelt, die sich in einem 3,3mm x 3,3mm PQFN-Gehäuse befinden und für 25V bis 100V ausgelegt sind.



Im Vergleich zum herkömmlichen Drain-Down-Konzept ermöglicht die Source-Down-Gehäusetechnologie einen größeren Siliziumchip bei gleicher Gehäuseform. Darüber hinaus können die durch das Gehäuse verursachten Verluste, die die Gesamtleistung des Bauteils einschränken, reduziert werden. Das ermöglicht laut Infineon im Vergleich zu einem modernen Drain-Down-Gehäuse eine Reduzierung des R DS(on) um bis zu 30%. Der Vorteil auf Systemebene ist eine Verkleinerung des Formfaktors mit der Möglichkeit, von einem 5mm x 6mm SuperSO8-Gehäuse auf ein 3,3mm x 3,3mm PQFN-Gehäuse umzusteigen.


Zusätzlich wird beim Source-Down-Konzept ...

die Wärme direkt über ein Wärmeleitpad in die Leiterplatte abgeleitet, anstatt über den Bonddraht oder die Kupferklemme. Dadurch verbessert sich der Wärmewiderstand RthJC von 1,8 K/W auf 1,4 K/W, und ermöglicht ein einfacheres Wärmemanagement. Der Hersteller bietet zwei verschiedene Grundflächenversionen und Layout-Optionen an: das SD Standard-Gate und das SD Center-Gate. Das Standard-Gate-Layout vereinfacht den Drop-in-Austausch von Drain-Down-Gehäusen, während das Center-Gate-Layout eine optimierte Parallelisierung ermöglicht.

Das PQFN-Gehäuse eignet sich für Anwendungen wie Motorantriebe, SMPS für Server und Telekommunikation und ORing sowie für Batterie-Managementsysteme.
 

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