Leistungs-MOSFET für hohe Schaltfrequenzen

PRODUKT NEWS

Infineon stellt den Leistungs-MOSFET OptiMOS 6 100V vor. Er ist nach eigener Angabe speziell für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert. Gleichzeitig ist das Bauteil aufgrund des niedrigen RDS(on) und des weiten sicheren Betriebsbereichs (SOA) auch für batteriebetriebene Anwendungen und Batteriemanagementsysteme geeignet.



Der OptiMOS 6 hat im Vergleich zum aktuellen OptiMOS 5 von Infineon einen um 18 Prozent niedrigeren R DS(on). In einem 600 W -(36-60) V auf 12V ZVS Buck-Boost-Wandler kann der OptiMOS 6 im SuperSO8-Gehäuse mit 2,2mΩ einen um ein Prozent höheren Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich erreichen als der OptiMOS 5 BSC027N10NS5 (2,7 mΩ). Dies führt zu einer um 7W geringeren Verlustleistung aufgrund verbesserter Ladungen und RDS(on), was eine bis zu 15 Prozent höhere Leistungsdichte ermöglicht. Zu den wichtigsten Vorteilen gehört laut Hersteller, dass die neue Technologie im 100-V-Bereich geringere Leitungs- und Schaltverluste ermöglicht und die Notwendigkeit der Parallelschaltung von Bauteilen minimiert.

Der OptiMOS 6 100V ist in SuperSO8 5x6- und PQFN 3.3x3.3-Gehäusen in einer weiten Palette von R DS(on)-Klassen erhältlich.

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