Die Partner eines aus öffentlichen Mitteln finanzierten europäischen Forschungsprojekts geben Einzelheiten zu dem multinationalen und interdisziplinären Programm namens "Last Power" (Large Area silicon carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for Power device applications) bekannt. Ziel dieses ENIAC-Projekts (European Nanoelectronics Initiative Advisory Council) mit einer Laufzeit von 42 Monaten ist es, Europa zu einer strategischen Unabhängigkeit auf dem Gebiet der WBG-Halbleiter (Wide Band Gap) zu verhelfen.

Dieser Bereich soll von erheblicher strategischer Bedeutung sein, da er mit der Entwicklung sehr energieeffizienter Systeme für alle Anwendungen zu tun hat, die mit Strom betrieben werden - von der Telekommunikation bis zum Automotive-Sektor, von der Consumer-Elektronik bis zu elektrischen Hausgeräten und von industriellen Anwendungen bis zur Heim-Automation.

Das Konsortium will europäische Technologie für die gesamte Produktionskette von Halbleitern entwickeln, die mit SiC (Siliziumcarbid) und heteroepitaxialem GaN (Galliumnitrid auf Silizium-Wafern) hergestellt werden. Beide Halbleiterwerkstoffe zeichnen sich gegenüber konventionellen Silizium-Technologien durch höhere Geschwindigkeit, Stromfestigkeit und Durchbruchspannung sowie eine größere Temperaturbeständigkeit aus.

Oberstes Ziel des Projekts ist die Entwicklung einer kosteneffektiven und zuverlässigen Integration fortschrittlicher SiC- und GaN-Halbleiter in der europäischen Leistungsmikroelektronik-Industrie. Erreicht werden soll dies über fünf einzelne Zielvorgaben:

• Züchten von großflächigem (150 mm) SiC und qualitativ hochwertigem, heteroepitaxialem GaN auf 150-mm-Silizium-Wafern über den jetzigen Stand der Technik bei den Substraten, der Epitaxie und der Oberflächenvorbereitung hinaus.
• Entwicklung neuer spezialisierter Anlagen für das Züchten, Charakterisieren und Bearbeiten von Werkstoffen.
• Verarbeitung zuverlässiger und effizienter SiC- und GaN-Bausteine auf 150-mm-Wafern
• Demonstration von Hochleistungs-Bauelementen mit Eigenschaften, die mit Si nicht erreichbar sind, wie zum Beispiel SiC-MOSFETs für 1.200 V/100 A, SiC-JFETs für Temperaturen bis 250 °C und GaN-HEMT-Bausteine als Leistungsschalter.
• Entwicklung anspruchsvoller Gehäuse für Hochtemperatur-Bauelemente und Verbesserung der Bauelemente-Zuverlässigkeit.

Übersicht über die Partner des Last-Power-Konsortiums:

• STMicroelectronics S.r.l. (Italien) - Projektkoordinator
• LPE S.p.A. (Italien)
• Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (Italien)
• Epitaxial Technology Center S.r.l. (Italien)
• Foundation for Research & Technology-Hellas (Griechenland)
• NOVASiC S.A. (Frankreich)
• Consorzio Catania Ricerche (Italien)
• Institute of High Pressure Physics UNIPRESS (Polen)
• Università della Calabria (Italien) öö SiCrystal AG (Deutschland)
• SEPS Technologies AB (Schweden)
• SenSiC AB (Schweden) öö Acreo AB (Schweden)
• Aristoteles-Universität Thessaloniki (Griechenland)