In vielen Schaltnetzteilen werden Transistoren aus Siliziumkarbid (SiC) eingesetzt, um die Energieeffizienz und die Zuverlässigkeit zu verbessern. Die hohe Schaltfrequenz dieser Bauteile verursacht jedoch störende Transienten, die Rauschen erzeugen können. Dieses muss für einen störungsfreien Betrieb weitgehend reduziert werden. Der MAX22701E bietet eine CMTI (Common Mode Transient Immunity) von typisch 300 kV/µs.
Die Laufzeitspezifikationen für Treiber (35 ns typisch) und die Anpassung der Laufzeitverzögerung zwischen dem High-Side- und dem Low-Side-Gate-Treiber (5 ns maximal) tragen dazu bei, die Totzeit des Transistors zu reduzieren. Dies wiederum verbessert die Energieeffizienz um bis zu 4 Prozentpunkte. Im Wirkungsgradbereich um 90 Prozent führt jeder zusätzliche Prozentpunkt des Wirkungsgrades zu einer Reduzierung der Verlustleistung um etwa 10 Prozent. So führt beispielsweise die Verbesserung des Wirkungsgrades von 90 auf 94 Prozent zu einer Reduzierung der Leistungsverluste um etwa 30 bis 40 Prozent. Der MAX22701E ist in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse (3,90mm x 4,90mm) und mit einem Temperaturbereich von -40°C bis +125°C erhältlich.
